Samsung Electronics, endüstrinin en küçük, 14 nanometre (nm), aşırı ultraviyole (EUV) teknolojisine dayalı DRAM'inin seri üretimine başladığını duyurdu. Teknoloji devi, Samsung'un Mart 2020'de sektördeki ilk EUV DRAM'i göndermesinin ardından DDR5 çözümleri için lider bir DRAM süreci sağlamak üzere EUV katmanlarının sayısını beşe çıkardı.
Kıdemli Başkan Yardımcısı ve DRAM Ürün ve Teknoloji Başkanı Jooyoung Lee şunları söyledi:
Temel modelleme teknolojisi yeniliklerine öncülük ederek yaklaşık otuz yıldır DRAM pazarına öncülük ettik. Bugün Samsung, 14nm'de aşırı minyatürleştirmeyi mümkün kılan çok katmanlı EUV ile başka bir teknoloji kilometre taşını belirliyor - geleneksel argon florür (ArF) işlemiyle mümkün olmayan bir başarı. Bu ilerlemeyi temel alarak, veri odaklı 5G, yapay zeka ve meta veri dünyasında daha fazla performans ve kapasite ihtiyacını tam olarak ele alarak en farklı bellek çözümlerini sağlamaya devam edeceğiz.
DRAM 10 nm aralığını küçültmeye devam ettikçe, EUV teknolojisi, daha fazla verim ve daha yüksek performans için desenleme doğruluğunu geliştirmek için giderek daha önemli hale geldi. Şirket, 14nm DRAM'ına beş EUV katmanı uygulayarak genel gofret üretkenliğini aşağı yukarı yüzde 20 artırırken en yüksek bit yoğunluğunu elde etmeyi başardı. Ayrıca, önceki nesil DRAM düğümüyle karşılaştırıldığında 14nm işlemi, güç tüketimini yaklaşık yüzde 20 oranında azaltmaya da yardımcı olabilir.
Samsung'un 14nm DRAM'i, en son DDR5 standardından yararlanarak saniyede 7,2 gigabit'e (Gbps) kadar eşi görülmemiş hızlara ulaşmaya yardımcı olacak. 7.2Gbps hızı, 3.2Gbps'ye kadar olan DDR4 hızının iki katından fazladır. Teknoloji devi, veri merkezi, süper bilgisayar ve kurumsal sunucu uygulamalarını desteklemek için 14nm DDR5 portföyünü genişletmeyi planlıyor. Samsung ayrıca, küresel BT sistemlerinin veri taleplerini karşılamak için 14nm DDR5 yonga yoğunluğunu 24 Gb'ye çıkarmayı planlıyor.